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厂商型号

2SA1962OTU 

产品描述

Trans GP BJT PNP 250V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

内部编号

3-2SA1962OTU

#1

数量:367
1+¥14.2543
25+¥13.1755
100+¥12.6362
500+¥12.1739
1000+¥11.5575
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:367
1+¥14.2543
25+¥13.1755
100+¥12.6362
500+¥12.1739
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#3

数量:367
1+¥14.2543
25+¥13.1755
100+¥12.6362
500+¥12.1739
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

2SA1962OTU产品详细规格

规格书 2SA1962OTU datasheet 规格书
2SA1962OTU datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 30
晶体管类型 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 17A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 250V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 3V @ 800mA, 8A
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 80 @ 1A, 5V
功率 - 最大 130W
频率转换 30MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-3P-3, SC-65-3
供应商器件封装 TO-3P
包装材料 Tube
包装 3TO-3P
类型 PNP
引脚数 3
最大集电极发射极电压 250 V
集电极最大直流电流 17 A
最小直流电流增益 80@1A@5V
最大工作频率 30(Typ) MHz
最大集电极发射极饱和电压 3@0.8A@8A V
工作温度 -50 to 150 °C
最大功率耗散 130000 mW
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
集电极最大直流电流 17
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-3P
最低工作温度 -50
最大功率耗散 130000
最大基地发射极电压 5
Maximum Transition Frequency 30(Typ)
封装 Tube
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 250
供应商封装形式 TO-3P
最大集电极发射极电压 250
电流 - 集电极( Ic)(最大) 17A
晶体管类型 PNP
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 30MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 3V @ 800mA, 8A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 250V
供应商设备封装 TO-3P
功率 - 最大 130W
封装/外壳 TO-3P-3, SC-65-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 80 @ 1A, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
集电极电流( DC)(最大值) 17 A
集电极 - 基极电压 250 V
集电极 - 发射极电压 250 V
发射极 - 基极电压 5 V
频率(最大) 30 MHz
功率耗散 130 W
工作温度范围 -50C to 150C
包装类型 TO-3P
元件数 1
直流电流增益(最小值) 80
工作温度分类 Automotive
弧度硬化 No
晶体管极性 PNP
频率 30 MHz
集电极电流(DC ) 17 A
直流电流增益 80
频率 - 跃迁 30MHz
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 3V @ 800mA, 8A
晶体管类型 PNP
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 80 @ 1A, 5V
封装/外壳 TO-3P-3, SC-65-3
功率 - 最大值 130W
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 17A
电压 - 集射极击穿(最大值) 250V
工厂包装数量 30
发射极 - 基极电压VEBO - 5 V
直流集电极/增益hfe最小值 80 at 1 A at 5 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO - 250 V
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
增益带宽产品fT 30 MHz
长度 15.6 mm
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 15 A
集电极 - 发射极饱和电压 - 400 mV
系列 2SA1962
身高 19.9 mm
安装风格 Through Hole
集电极 - 基极电压VCBO - 250 V
最低工作温度 - 55 C
Pd - Power Dissipation 130000 mW
品牌 Fairchild Semiconductor

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